刘胜介绍，武创院芯研所整合武汉大学、华中科技大学、华进半导体、智能汽车安全技术全国重点实验室等国内一流芯片制造和测试仪器平台资源，将建设先进芯片材料及工艺集成综合测试平台、芯片制造——封测材料数据库平台、多场多尺度耦合的芯片制造协同仿真平台、基于工艺及可靠性的芯片制造——封装CAPR工业软件平台等四大平台，破解半导体芯片集成工艺及可靠性关键核心技术攻关、小试中试服务、产学研转化孵化等方面的“卡脖子”难题。

      2022年，光通信技术和网络全国重点实验室、武汉光迅科技股份有限公司，联合国家信息光电子创新中心、鹏城实验室，在国内率先完成了1.6Tb/s硅基光收发芯片的联合研制和功能验证，实现了我国硅光芯片技术向Tb/s级的首次跨越。“相对于传统光芯片，硅光芯片具有集成度高、成本低、传输性能好等特点。”研发人员告诉记者，这一产品突破多个技术瓶颈，使光通信芯片的整体数据容量提升了4倍。目前，国际上400G光模块已进入商用部署阶段，800G光模块样机研制和技术标准正在推进中，而1.6Tb/s光模块将成为下一步全球竞相追逐的热点。迅盈国际入口

      党的十八大以来，以习近平同志为核心的党中央深入实施创新驱动发展战略，加快推进以科技创新为核心的全面创新，推动我国科技事业取得了举世瞩目的非凡成就。“嫦娥”登月、“北斗”组网、“墨子”升空，“C919”商飞，“爱达·魔都号”试航，“奋斗者”号深潜……从深空到“深海”，从国产到“国创”，一大批国之重器竞相涌现，一系列创新成果纷至沓来，我国科技实力从量的积累向质的飞跃、点的突破向系统提升迈进，为加快形成新质生产力奠定了坚实基础。迅盈国际入口

      刘绍先是第七届全国人民代表大会代表。1988年获授予少将军衔。曾荣获解放华中南纪念章、抗美援朝纪念章、朝鲜人民民主共和国三级国旗勋章、和平万岁纪念章、中国人民志愿军抗美援朝出国作战60周年纪念章、中国人民抗日战争胜利70周年纪念章、中华人民共和国成立70周年纪念章、中国人民志愿军抗美援朝出国作战70周年纪念章、光荣在党50周年纪念章。迅盈国际入口（撰稿：霍晨黛）